微电子之明星——极宽能隙半导体氧化镓



活动地点:校本部东区材料楼520会议室

活动时间:2019-12-19 13:05:00

报告内容简介:极宽能隙半导体氧化镓晶体

报告人姓名:夏长泰

报告人简介:1996年8月毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所无机非金属材料专业, 获博士学位。现为中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、博士生导师。十多年以来从事晶体生长和性能研究, 曾负责和参与国家自然科学基金、国家863高技术、智利国家科学技术委员会、豊田中央研究所先端研究部门和国际环境技术转移研究中心的科研项目。 2004年以海外杰出人才身份加盟中国科学院上海光学精密机械研究所。十年多来在宽禁带半导体材料的新型单晶衬底、白光LED新型荧光材料和激光晶体等方面开展研究工作,推动了白光LED技术的进步,为白光LED技术提供了新的技术路径。目前从事宽禁带半导体氧化镓单晶生长、氧化镓纳米晶体和白光LED晶体荧光体等材料的研究,这些材料在白光LED、功率电子器件等方面有着广阔的应用前景,我们还将探索其在激光技术等其他领域的应用。

报告人单位:中国科学院上海光学精密机械研究所

主办单位:上海大学材料学院

联系人:王林军